高通正式對外宣佈與三星成為合作夥伴，由三星負責生產Snapdragon 835晶片，採用10奈米FinFET製程。
高通表示，10奈米FinFET新製程將14奈米的Snapdragon 821多30%面積效率、27%效能、降低40%功耗，由於晶片尺寸可以再減小，帶來的優點就是能讓手機製造商設計更輕巧的手機或是加入其它的元件。
值得注意的是，Snapdragon 835也會是率先納入Quick Charge 4.0，根據高通的說法，由於加入「Dual Charge」平行充電技術，可讓Quick Charge 4.0的充電效率比Quick Charge 3.0快20%，在功率更能節省30%，Quick Charge 4.0也支援USB Type C及USB Power Delivery這項Google力拱的快充標準，也就是說，2015年的Nexus裝置、2016年的Google Pixel、與最新USB Type C接頭的MacBook也都將能使用Quick Charge 4.0快充充電器！
Quick Charge 4包含第三代INOV 技術（Intelligent Negotiation for Optimum Voltge - 中文名稱譯為優化式電壓智慧協調），作到即時的發熱管理，高通也介紹兩款新的電源管理IC晶片：SMB1380與SMB1381，具有低阻抗，達到95%的峰值效率，並有進階的快充功能例如可以感測電池充電過程中充到不同電量的差別（differential sensing），Snapdragon 835預計2017年上半年推出。
