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Samsung 開始量產業界首款512GB eUFS 3.0 記憶體晶片
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Update: 2019-02-28 19:16:43
標籤: eUFS 3.0

新款Galaxy S10系列發布不久,三星緊接著宣佈一項同樣對行動通訊產業很重要的消息,就是他們發表eUFS 3.0規格的512GB儲存晶片,比起前一代有更優越的效能。
 

新的eUFS 3.0規格的512 GB儲存晶片已經開始量產,性能是eUFS 2.1的兩倍。三星電子記憶體銷售與市場行銷執行副總裁表示eUFS 3.0規格將追上當今超薄筆記型電腦的儲存性能。


eUFS 3.0的512GB疊合八層第五代512 gigabit的V-NAND,配合新的高效能控制器,讓讀取可達2100 MB/s,是目前eUFS 2.1的兩倍快,或是傳統SATA介面固態硬碟的四倍快!寫入速度則與SATA固態硬碟相近。


▼ 不同時期各種規格儲存記憶體在連續讀取、連續寫入、隨機讀取、隨機寫入速度比較

 

IOPS也有些微提升,隨機讀取與隨機寫入分別是63000 IOPS與68000 IOPS,大約比microSD快了約630倍。

除了512 GB,三星已經開始生產128 GB,並有計畫推出256GB與1TB,時間落在2019年下半年。

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