三星電子發佈市場第一款專門用於手機內部儲存空間使用的256GB快閃記憶體，還支援Universal Flash Storage 2.0 (UFS) 標準。跟電腦SATA規格的SSD硬體相比，這款基於三星V-NAND技術的晶片將可為手機記憶體帶來比更出色的效能，因它提供每秒850MB讀取、260MB寫入速度（這個速度已比高速microSD卡還要快三倍），高達45000讀取與40000寫入的IOPS，等於比第一代UFS快上兩倍，有助於手機錄製4K影片時的存取速度，三星還預告配合256GB UFS 2.0晶片推出，未來的手機將往USB 3.0規格邁進，讓一部90分鐘的1080p影片，可以在12秒完成傳輸。
採用UFS 2.0的手機記憶體的連續讀寫、隨機讀寫速度與沒使用UFS 2.0記憶體手機的速度比較，可參考「三星 Galaxy S6 開箱評測（UFS 2.0 技術大幅提升應用軟體執行效能）的下方數據」。三星提到Galaxy Note 6很有可能在今年九年推出，到時會有機會提供採用這款UFS 2.0晶片，容量256GB的記憶體。
